据日媒报道， 日本铠侠自2017年开端与半导体设备厂佳能，以及光罩、模板等半导体零组件制造商DNP合作，在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发纳米压印微影技巧(NIL)的量产技巧，今朝铠侠已经控制了15nm的量产技巧，并正在向15nm以下的工艺研发，估计2025年开端临盆
比拟于今朝已实用化的极紫外光(EUV)工艺而言，NIL工艺不应用EUV光刻机，降低了设备投入成本，并且耗能更低，据称NIL的耗电量可压低至EUV临盆方法的10%，并让设备投资降低至40%。然则NIL在量产上仍有不少问题有待解决，包含更轻易因细微尘埃而形成瑕疵等的问题。
铠侠表示，已解决NIL的根本技巧问题，正在完美量产技巧，欲望能率先引入NAND临盆。而根据DNP说法，NIL技巧电路精细程度可达5nm，DNP将从2021年春季起，根据设备的规格进行内部仿真。
